日本东芝10月9日表示，计划在2010年3月前开始量产采用30纳米先进制程的快闪存储器(闪存)芯片，以与韩国对手三星电子相抗衡。

　　东芝为全球第二大快闪存储器芯片制造商，该公司人士Hiroko Mochida表示，公司将在日本中部的四日市厂房采用30纳米制程，该厂将在2008年3月前开始量产新一代43纳米制程的芯片。
　
　　而全球最大的NAND快闪存储器芯片制造商--韩国三星电子已与IBM、德国英飞凌(Infineon Technologies AG)、新加坡特许半导体(Chartered)和美国飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)结盟，将在2010年生产32纳米制程的芯片。

　　东芝正与国内同业富士通和NEC电子等洽谈合作开发先进芯片事宜，以削减成本，并满足来自手机、笔记型电脑和超级电脑制造商日益增长的需求。

　　Mochida说：“我们的目标是要通过率先供应最先进的芯片，以获得相对于竞争者的优势。”